Samsung анонсировала 8 ГБ ОЗУ LPDDR4: подготовка к Galaxy S8

Samsung показала миру первые микросхемы памяти LPDDR4 объемом 8 ГБ. На одном чипе такой памяти находятся четыре кристалла плотностью 16 Гбит, выполненные по 10-нанометровому техпроцессу. Производитель заявляет, что в сравнении с 20-нм памятью прошлого поколения энергопотребление снизилась, а доступный объем удвоился. Скорость передачи данных также удвоилась и составляет 4266 Мбит/с. Такие характеристики позволят добиться высокой производительности при обработке 4К-контента, а также повысят потенциал двойных камер в смартфонах. Кроме того, новая плата имеет размеры 15 х 15 х 1 мм, что позволяет ей соответствовать требованиям толщины современных устройств.Новинка появится в смартфонах высокого уровня в ближайшем будущем. Похоже на то, что одним из первых (если не первым) станет Galaxy S8, анонс которого состоится в феврале будущего года. Отметим, 10-нм технологии Samsung лягут в основу нового поколения чипсетов, а появление на рынке первого коммерческого образцы с таким «камнем» связывают именно с Galaxy S8.