{banner_rekstat}Snapdragon 823, 828 и 830 – вот имена флагманских макетов, над которыми Qualcomm будет работать в течение ближайших нескольких месяцев. Благодаря новому утечке мы узнали часть их технических характеристик.
Сайт GizmoChina опубликовал таблицу сравненной трех будущих чипов компании Qualcomm. Как вы можете заметить она не полная и много вопросов остается открытыми, однако благодаря ей мы уже можем составить определенное мнение о будущих процессорах.
Snapdragon 823
О Snapdragon 823 (который называется также Snapdragon 821) мы смогли услышать уже некоторое время назад, так что эта система для нас не является загадкой. Это будет только расширенная версия Snapdragon 820, а основная разница должна быть в высшей тактовой частоте ядер – 2 самые мощные должны быть с тактовой частотой до 2.6/3 Ггц, а 2 послабее с тактовой частотой 2 Ггц. За видео будет отвечать Adreno 530, а сам процессор должен быть официально объявлено уже в этом квартале и попасть в (некоторые) флагманы, представленные во второй половине этого года.
Snapdragon 828
Наименование и характеристики Snapdragon 828 (msm8897) предполагают, что эта система будет чем-то вроде преемника Snapdragon 808, который в прошлом году представлял (как правило, более дешевую) альтернативу флагману Snapdragon 810. Правда, процессор будет состоят из ядер с криогенной обработкой следующего поколения, однако GPU, которым будет Adreno 519, будет заметно медленнее, чем других флагманские графические чипы Qualcomm с этого года.
Snapdragon 828 должен быть выполнен в 10 нм технологическом процессе FinFET. Qualcomm собирается представить этот SoC только в последнем квартале, так что на его появление в первых смартфонах, нам придется подождать до 2017 года.
Snapdragon 830
Snapdragon 830 (MSM8998) будет флагманской системой в предложении Qualcomm на 2017 год. Американцы применят в нем ядра с криогенной обработкой нового поколения.
За графическую производительность будет отвечать Adreno 540, который, судя по нумерации будет улучшенной версией Adreno 530. В этом случае также стоит отметить, что скорость загрузки данных возрастет до 980 мегабит в секунду (600 в предшественнике).
Snapdragon 830 будет выполнен в 10 нм технологическом процессе FinFET, а Qualcomm официально представит его в конце 2016 года.