{banner_rekstat}Конструкции совместимы со стандартом UFS 2.0 и будут использоваться в устройствах из высшей ценовой полки. Новые модули призваны обеспечить очень высокую производительность, особенно в случае чтения данных.

Samsung заявил, что его 256-гигабайтовые модули памяти V-NAND для мобильных устройств, должны предложить производительность, сравнимую с твердотельными носителями со средней полки. Новые конструкции должны характеризоваться скоростью последовательного чтения в 850 МБ/сек и записи до 260 МБ/сек. Заметно увеличилось также число операций ввода-вывода.

 

В предыдущей версии модулей памяти, Samsung достиг около 19000 IOPS для чтения и 14000 IOPS для записи. Для последних, 256-гигабайтовых решений, это, соответственно, 45000 IOPS и 40000 IOPS.

 

Как мы уже упоминали в начале, продукт будет в первую очередь доступен в самых дорогих мобильных устройствах. Samsung утверждает, что в его память отлично подходит при выполнении нескольких задач одновременно, а также при передаче больших объемов данных.