Спустя пять месяцев после того, как Samsung начала массовое производство 12 ГБ памяти LPDDR5 DRAM, она начала производство модулей 16 ГБ на своем заводе в Пхёнтэке. Компания объявила на своем веб-сайте, что новый пакет построен на 10-нм процессе второго поколения и обеспечивает скорость передачи данных 5500 Мбит / с.



Платформа состоит из восьми 12-гигабитных чипов и четырех 8-гигабитных чипов, что обеспечивает «вдвое больший объем памяти DRAM, чем у многих современных ноутбуков и игровых ПК», - цитирует пресс-релиз Samsung. Причиной постоянного развития технологий и увеличения емкости является растущий спрос на мощность, производительность, скорость, улучшенные функции 5G и AI, такие как интеллектуальная фотография.

Дата разработки	Вместимость	Мобильная DRAM
Декабрь 2019	16 ГИГАБАЙТ	LPDDR5 класса 10 нм, 1200 Мбит / с
Июль 2019	12GB	LPDDR5 класса 10 нм, 1200 Мбит / с
Июнь 2019	6GB	LPDDR5 класса 10 нм, 1200 Мбит / с
Февраль 2019	12GB	16-гигабитный LPDDR4X класса 10 нм, 4266 Мбит / с
Апрель 2018	8 ГБ (разработка)	LPDDR5 класса 10 нм, 6400 Мбит / с

Samsung также объявила о планах массового выпуска 16-гигабайтных продуктов LPDDR5, созданных на основе технологии 3-го поколения (1z), которые позволят увеличить скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Таким образом, корейский гигант может «укрепить свои конкурентные преимущества на таких рынках, как мобильные устройства премиум-класса, высокопроизводительные ПК и автомобильные приложения».